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AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264

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AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264

AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264
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Imagem Grande :  AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264

Detalhes do produto:
Marca: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Número do modelo: AO4266E
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: Quantidade disponível 51208 peças

AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264

descrição
Modelo de produto: AO4264E Pacote do fornecedor: SOP8
Breve descrição: MOSFET Categoria de produto: COMPARADOR DE IC
Áreas de aplicação: Controladores encaixados dos processadores Data de fabricação: Dentro de um ano
Realçar:

AO4264E

,

AO4264E Transistor de Efeito de Campo

,

Transistor de efeito de campo de superfície da montagem

  • Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

  • Descrição: MOSFET Transistor N Canal 60V13.5A Mosfet Superficie Mount SOP8 4264

  • Categoria: Produtos de semicondutores discretos

  • Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

  • Embalagem / Caixa
    8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)
    Transporte
    UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
    Condição
    Nova fábrica original.
     

    Especificações

    Série
    AlphaSGTTM
    Pacote
    Tape & Reel (TR)
    Estatuto da parte
    Atividade
    Tipo de FET
    N-canal
    Tecnologia
    MOSFET (óxido metálico)
    Voltagem de saída para a fonte (Vdss)
    60 V
    Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C
    13.5A (Ta)
    Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)
    4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.8mOhm @ 13.5A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250μA
    Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
    13 nC @ 4,5 V
    Vgs (máximo)
    ± 20V
    Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1100 pF @ 30 V
    Característica FET
    -
    Dissipação de energia (máximo)
    3.1W (Ta)
    Temperatura de funcionamento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem
    Montagem de superfície
    Pacote de dispositivos do fornecedor
    8-SO
     
     
AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264 0
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Diagrama do chip
AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264 1AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264 2AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264 3AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264 4

Revisões

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264 5
    Samantha Smith
    Os componentes eletrônicos que encomendei chegaram a tempo e em excelente estado. Estou impressionado com a qualidade dos produtos e o nível de serviço prestado pelo vendedor.
    27 de Maio de 2018
  1. AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264 6
    Adam Taylor
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    16 de abril de 2019

 

  1. AO4264E Transistor de Efeito de Campo N Canal 60V 13.5A Mosfet Monte de superfície SOP8 4264 7
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    2 de janeiro de 2020

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