Transistor das tevês da proteção de circuito do Triode do diodo de ESD8006MUTAG
Especificações
Número da peça:
ESD8006MUTAG
Fabricante:
onsemi
Descrição:
DIODO 3.3VWM 8.4VC 8-UDFN DAS TEVÊS
Categoria:
Tevês - Diodos
Introdução
Especificações de ESD8006MUTAG
Série | |
---|---|
RoHS | RoHS |
Tipo | Zener |
Estado da parte | Ativo |
Aplicações | USB |
Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote/caso | 10-UFDFN |
Poder - pulso máximo | - |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Proteção de linha elétrica | Não |
Canais bidirecionais | - |
Frequência da capacidade @ | 0.32pF @ 1MHz |
Pacote do dispositivo do fornecedor | 8-UDFN (3.3x1.0) |
Canais unidirecionais | 6 |
Tensão - divisão (minuto) | 5.5V |
Tensão - apertando (máximo) @ a IPP | 8.4V (tipo) |
Tensão - suporte isolador reverso (tipo) | 3.3V (máximo) |
Atual - pulso máximo (10/1000µs) | 16A |
Empacotamento de ESD8006MUTAG
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable