Enviar mensagem
Para casa > produtos > Triode do diodo > Transistor das tevês da proteção de circuito do Triode do diodo de D12V0L1B2LP-7B

Transistor das tevês da proteção de circuito do Triode do diodo de D12V0L1B2LP-7B

Categoria:
Triode do diodo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
DIODO 12VWM 25VC DFN1006-2 DAS TEVÊS
Número da peça:
D12V0L1B2LP-7B
Fabricante:
Diodos incorporados
Categoria:
Tevês - Diodos
Série:
Automotivo, AEC-Q101
Introdução

Especificações de D12V0L1B2LP-7B

SérieAutomotivo, AEC-Q101
RoHSRoHS
TipoZener
Estado da parteAtivo
AplicaçõesAutomotivo
Montando o tipoMontagem de superfície
Pacote/caso0402 (métrica 1006)
Poder - pulso máximo100W
Temperatura de funcionamento-65°C ~ 150°C (TJ)
Proteção de linha elétricaNão
Canais bidirecionais1
Frequência da capacidade @10pF @ 1MHz
Pacote do dispositivo do fornecedorX1-DFN1006-2
Canais unidirecionais-
Tensão - divisão (minuto)13V
Tensão - apertando (máximo) @ a IPP25V
Tensão - suporte isolador reverso (tipo)12V (máximo)
Atual - pulso máximo (10/1000µs)4A (8/20µs)

Empacotamento de D12V0L1B2LP-7B

Detecção

Transistor das tevês da proteção de circuito do Triode do diodo de D12V0L1B2LP-7BTransistor das tevês da proteção de circuito do Triode do diodo de D12V0L1B2LP-7BTransistor das tevês da proteção de circuito do Triode do diodo de D12V0L1B2LP-7BTransistor das tevês da proteção de circuito do Triode do diodo de D12V0L1B2LP-7B

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable