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Transistor IGBTs do módulo de poder de SGP23N60UFTU IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de SGP23N60UFTU IGBT único

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Imagem Grande :  Transistor IGBTs do módulo de poder de SGP23N60UFTU IGBT único

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de SGP23N60UFTU IGBT único

descrição
Número da peça: SGP23N60UFTU Fabricante: Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição: IGBT 600V 23A 100W TO220-3 Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos

Especificações de SGP23N60UFTU

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 23A
Atual - coletor pulsado (Icm) 92A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.6V @ 15V, 12A
Poder - máximo 100W
Energia de comutação 115µJ (sobre), 135µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta -
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 17ns/60ns
Condição de teste 300V, 12A, 23 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-220-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de SGP23N60UFTU

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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