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Transistor 1700V 75A 350W TO268 do módulo de poder de IXGT32N170 IGBT

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Transistor 1700V 75A 350W TO268 do módulo de poder de IXGT32N170 IGBT

Transistor 1700V 75A 350W TO268 do módulo de poder de IXGT32N170 IGBT
Transistor 1700V 75A 350W TO268 do módulo de poder de IXGT32N170 IGBT

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Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

Transistor 1700V 75A 350W TO268 do módulo de poder de IXGT32N170 IGBT

descrição
Número da peça: IXGT32N170 Fabricante: IXYS
Descrição: IGBT 1700V 75A 350W TO268 Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos
Realçar:

IXGT32N170

,

Módulo de poder 1700V de IGBT

,

Módulo de poder 350W de IGBT

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGT32N170 IGBT único

Especificações IXGT32N170

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT NPT
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1700V
Atual - coletor (CI) (máximo) 75A
Atual - coletor pulsado (Icm) 200A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 3.3V @ 15V, 32A
Poder - máximo 350W
Energia de comutação 11mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 155nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 45ns/270ns
Condição de teste 1020V, 32A, 2,7 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-268-3, ³ Pak de D (2 ligações + abas), TO-268AA
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-268
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.
 

Empacotamento IXGT32N170

Detecção

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