Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGT15N120C IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGT15N120C IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
IXGT15N120C
Fabricante:
IXYS
Descrição:
IGBT 1200V 30A 150W TO268
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
Lightspeed™
Introdução

Especificações de IXGT15N120C

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V
Atual - coletor (CI) (máximo) 30A
Atual - coletor pulsado (Icm) 60A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 3.8V @ 15V, 15A
Poder - máximo 150W
Energia de comutação 1.05mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 69nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 25ns/150ns
Condição de teste 960V, 15A, 10 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-268-3, ³ Pak de D (2 ligações + abas), TO-268AA
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-268
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IXGT15N120C

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGT15N120C IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXGT15N120C IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXGT15N120C IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXGT15N120C IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable