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Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH25N120A IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH25N120A IGBT único

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Imagem Grande :  Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH25N120A IGBT único

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXSH25N120A IGBT único

descrição
Número da peça: IXSH25N120A Fabricante: IXYS
Descrição: IGBT 1200V 50A 200W TO247AD Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos

Especificações de IXSH25N120A

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V
Atual - coletor (CI) (máximo) 50A
Atual - coletor pulsado (Icm) 80A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 4V @ 15V, 25A
Poder - máximo 200W
Energia de comutação 9.6mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 120nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 100ns/450ns
Condição de teste 960V, 25A, 18 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXSH)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IXSH25N120A

Detecção

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Contacto
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Telefone: +8615017926135

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