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Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB15N60S1EG IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB15N60S1EG IGBT único

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Imagem Grande :  Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB15N60S1EG IGBT único

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB15N60S1EG IGBT único

descrição
Número da peça: NGTB15N60S1EG Fabricante: No semicondutor
Descrição: IGBT 600V 30A 117W TO220-3 Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos

Especificações de NGTB15N60S1EG

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT NPT
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 30A
Atual - coletor pulsado (Icm) 120A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 1.7V @ 15V, 15A
Poder - máximo 117W
Energia de comutação 550µJ (sobre), 350µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 88nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 65ns/170ns
Condição de teste 400V, 15A, 22 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 270ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-220-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de NGTB15N60S1EG

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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