Transistor IGBTs do módulo de poder de RGT80TS65DGC11 IGBT único
Especificações
Descrição:
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Número da peça:
RGT80TS65DGC11
Fabricante:
Rohm semicondutor
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações RGT80TS65DGC11
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo de IGBT | Parada de campo da trincheira |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 650V |
Atual - coletor (CI) (máximo) | 70A |
Atual - coletor pulsado (Icm) | 120A |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 40A |
Poder - máximo | 234W |
Energia de comutação | - |
Tipo entrado | Padrão |
Carga da porta | 79nC |
TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 34ns/119ns |
Condição de teste | 400V, 40A, 10 ohms, 15V |
Tempo de recuperação reversa (trr) | 58ns |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote/caso | TO-247-3 |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247N |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento RGT80TS65DGC11
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable