Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTG10N120BND IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
IGBT 1200V 35A 298W TO247
Número da peça:
HGTG10N120BND
Fabricante:
Semicondutor de Fairchild/ON
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações de HGTG10N120BND
| Estado da parte | Não para projetos novos |
|---|---|
| Tipo de IGBT | NPT |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 1200V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 35A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 80A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.7V @ 15V, 10A |
| Poder - máximo | 298W |
| Energia de comutação | 850µJ (sobre), 800µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 100nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Condição de teste | 960V, 10A, 10 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 70ns |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-247-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de HGTG10N120BND
Detecção
Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable