Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGP4750D-EPBF IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGP4750D-EPBF IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
IGBT 650V 70A 273W TO247AD
Número da peça:
IRGP4750D-EPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução

Especificações de IRGP4750D-EPBF

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 650V
Atual - coletor (CI) (máximo) 70A
Atual - coletor pulsado (Icm) 105A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2V @ 15V, 35A
Poder - máximo 273W
Energia de comutação 1.3mJ (sobre), 500µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 105nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 50ns/105ns
Condição de teste 400V, 35A, 10 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 150ns
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247AD
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRGP4750D-EPBF

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGP4750D-EPBF IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGP4750D-EPBF IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGP4750D-EPBF IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGP4750D-EPBF IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable