Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de SKB02N60ATMA1 IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de SKB02N60ATMA1 IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
SKB02N60ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição:
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução

Especificações SKB02N60ATMA1

Estado da parte Obsoleto
Tipo de IGBT NPT
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 6A
Atual - coletor pulsado (Icm) 12A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.4V @ 15V, 2A
Poder - máximo 30W
Energia de comutação 64µJ
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 14nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 20ns/259ns
Condição de teste 400V, 2A, 118 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 130ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Pacote do dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SKB02N60ATMA1

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de SKB02N60ATMA1 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de SKB02N60ATMA1 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de SKB02N60ATMA1 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de SKB02N60ATMA1 IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable