Transistor IGBTs do módulo de poder de IKP03N120H2XKSA1 IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
IKP03N120H2XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição:
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações IKP03N120H2XKSA1
| Estado da parte | Obsoleto |
|---|---|
| Tipo de IGBT | - |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 1200V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 9.6A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 9.9A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.8V @ 15V, 3A |
| Poder - máximo | 62.5W |
| Energia de comutação | 290µJ |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 22nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Condição de teste | 800V, 3A, 82 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 42ns |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-220-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | PG-TO220-3 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento IKP03N120H2XKSA1
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable