Transistor IGBTs do módulo de poder de SGS10N60RUFDTU IGBT único
Especificações
Descrição:
IGBT 600V 16A 55W TO220F
Número da peça:
SGS10N60RUFDTU
Fabricante:
Semicondutor de Fairchild/ON
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações de SGS10N60RUFDTU
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo de IGBT | - |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 600V |
Atual - coletor (CI) (máximo) | 16A |
Atual - coletor pulsado (Icm) | 30A |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.8V @ 15V, 10A |
Poder - máximo | 55W |
Energia de comutação | 141µJ (sobre), 215µJ (fora) |
Tipo entrado | Padrão |
Carga da porta | 30nC |
TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 15ns/36ns |
Condição de teste | 300V, 10A, 20 ohms, 15V |
Tempo de recuperação reversa (trr) | 60ns |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote/caso | Bloco TO-220-3 completo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220F |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de SGS10N60RUFDTU
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable