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Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTD1N120BNS9A IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTD1N120BNS9A IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTD1N120BNS9A IGBT único
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Imagem Grande :  Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTD1N120BNS9A IGBT único

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de HGTD1N120BNS9A IGBT único

descrição
Número da peça: HGTD1N120BNS9A Fabricante: Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos

Especificações de HGTD1N120BNS9A

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT NPT
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V
Atual - coletor (CI) (máximo) 5.3A
Atual - coletor pulsado (Icm) 6A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.9V @ 15V, 1A
Poder - máximo 60W
Energia de comutação 70µJ (sobre), 90µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 14nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 15ns/67ns
Condição de teste 960V, 1A, 82 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-252AA
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de HGTD1N120BNS9A

Detecção

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Contacto
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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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