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Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGP30N120B3 IGBT único

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Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGP30N120B3 IGBT único

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Imagem Grande :  Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGP30N120B3 IGBT único

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGP30N120B3 IGBT único

descrição
Número da peça: IXGP30N120B3 Fabricante: IXYS
Descrição: IGBT 1200V 60A 300W TO220 Categoria: Transistor - IGBTs - únicos
Família: Transistor - IGBTs - únicos Série: GenX3™

Especificações IXGP30N120B3

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT Pinta
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V
Atual - coletor (CI) (máximo) 60A
Atual - coletor pulsado (Icm) 150A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 3.5V @ 15V, 30A
Poder - máximo 300W
Energia de comutação 3.47mJ (sobre), 2.16mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 87nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 16ns/127ns
Condição de teste 960V, 30A, 5 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-220-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220AB
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IXGP30N120B3

Detecção

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Contacto
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Telefone: +8615017926135

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