Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB40N120IHRWG IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB40N120IHRWG IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
NGTB40N120IHRWG
Fabricante:
No semicondutor
Descrição:
IGBT 1200V 80A 384W TO247
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução

Especificações de NGTB40N120IHRWG

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT Parada de campo da trincheira
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V
Atual - coletor (CI) (máximo) 80A
Atual - coletor pulsado (Icm) 120A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.55V @ 15V, 40A
Poder - máximo 384W
Energia de comutação 950µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 225nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C -/230ns
Condição de teste 600V, 40A, 10 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de NGTB40N120IHRWG

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB40N120IHRWG IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de NGTB40N120IHRWG IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de NGTB40N120IHRWG IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de NGTB40N120IHRWG IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable