Transistor IGBTs do módulo de poder de IGW25N120H3 IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
IGW25N120H3
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição:
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
TrenchStop®
Introdução
Especificações IGW25N120H3
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | Parada de campo da trincheira |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 1200V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 50A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 100A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.4V @ 15V, 25A |
| Poder - máximo | 326W |
| Energia de comutação | 2.65mJ |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 115nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 27ns/277ns |
| Condição de teste | 600V, 25A, 23 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-247-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | PG-TO247-3 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento IGW25N120H3
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable