Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGB5B120KDPBF IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGB5B120KDPBF IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
Número da peça:
IRGB5B120KDPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução

Especificações de IRGB5B120KDPBF

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT NPT
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V
Atual - coletor (CI) (máximo) 12A
Atual - coletor pulsado (Icm) 24A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 3V @ 15V, 6A
Poder - máximo 89W
Energia de comutação 390µJ (sobre), 330µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 25nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 22ns/100ns
Condição de teste 600V, 6A, 50 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 160ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-220-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220AB
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRGB5B120KDPBF

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de IRGB5B120KDPBF IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGB5B120KDPBF IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGB5B120KDPBF IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IRGB5B120KDPBF IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable