Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGA30N120B3 IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGA30N120B3 IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
IGBT 1200V 60A 300W TO263
Número da peça:
IXGA30N120B3
Fabricante:
IXYS
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
GenX3™
Introdução

Especificações IXGA30N120B3

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT Pinta
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 1200V
Atual - coletor (CI) (máximo) 60A
Atual - coletor pulsado (Icm) 150A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 3.5V @ 15V, 30A
Poder - máximo 300W
Energia de comutação 3.47mJ (sobre), 2.16mJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 87nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 16ns/127ns
Condição de teste 960V, 30A, 5 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) -
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-263 (IXGA)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IXGA30N120B3

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de IXGA30N120B3 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXGA30N120B3 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXGA30N120B3 IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de IXGA30N120B3 IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable