Enviar mensagem
Para casa > produtos > Módulo de potência IGBT > Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW30NC60KD IGBT único

Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW30NC60KD IGBT único

Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
STGW30NC60KD
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
IGBT 600V 60A 200W TO247
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
PowerMESH™
Introdução

Especificações de STGW30NC60KD

Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT -
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 60A
Atual - coletor pulsado (Icm) 125A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI 2.7V @ 15V, 20A
Poder - máximo 200W
Energia de comutação 350µJ (sobre), 435µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 96nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C 29ns/120ns
Condição de teste 480V, 20A, 10 ohms, 15V
Tempo de recuperação reversa (trr) 40ns
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso TO-247-3
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STGW30NC60KD

Detecção

Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW30NC60KD IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de STGW30NC60KD IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de STGW30NC60KD IGBT únicoTransistor IGBTs do módulo de poder de STGW30NC60KD IGBT único

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable