Transistor IGBTs do módulo de poder de STGW10M65DF2 IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
STGW10M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
SE DA PORTA FIELD-STOP IGBT M DA TRINCHEIRA
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
M
Introdução
Especificações STGW10M65DF2
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | Parada de campo da trincheira |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 650V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 20A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 40A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2V @ 15V, 10A |
| Poder - máximo | 115W |
| Energia de comutação | 120µJ (sobre), 270µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 28nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 19ns/91ns |
| Condição de teste | 400V, 10A, 22 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 96ns |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Através do furo |
| Pacote/caso | TO-247-3 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento STGW10M65DF2
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable