Transistor IGBTs do módulo de poder de STGB40H65FB IGBT único
Especificações
Número da peça:
STGB40H65FB
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
HB
Introdução
Especificações de STGB40H65FB
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo de IGBT | Parada de campo da trincheira |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 650V |
Atual - coletor (CI) (máximo) | 80A |
Atual - coletor pulsado (Icm) | 160A |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2V @ 15V, 40A |
Poder - máximo | 283W |
Energia de comutação | 498µJ (sobre), 363µJ (fora) |
Tipo entrado | Padrão |
Carga da porta | 210nC |
TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 40ns/142ns |
Condição de teste | 400V, 40A, 5 ohms, 15V |
Tempo de recuperação reversa (trr) | - |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote/caso | TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB |
Pacote do dispositivo do fornecedor | D2PAK |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de STGB40H65FB
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable