Transistor IGBTs do módulo de poder de STGP6M65DF2 IGBT único
Especificações
Número da peça:
STGP6M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
SE DA PORTA FIELD-STOP IGBT M DA TRINCHEIRA
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
M
Introdução
Especificações STGP6M65DF2
Estado da parte | Ativo |
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Tipo de IGBT | Parada de campo da trincheira |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 650V |
Atual - coletor (CI) (máximo) | 12A |
Atual - coletor pulsado (Icm) | 24A |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2V @ 15V, 6A |
Poder - máximo | 88W |
Energia de comutação | 40µJ (sobre), 136µJ (fora) |
Tipo entrado | Padrão |
Carga da porta | 21.2nC |
TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 12ns/86ns |
Condição de teste | 400V, 6A, 22 ohms, 15V |
Tempo de recuperação reversa (trr) | 140ns |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote/caso | TO-220-3 |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220 |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento STGP6M65DF2
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable