Transistor IGBTs do módulo de poder de APT25GN120SG IGBT único
Especificações
Descrição:
IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
Número da peça:
APT25GN120SG
Fabricante:
Microsemi Corporaçõ
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações de APT25GN120SG
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo de IGBT | Parada de campo da trincheira |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 1200V |
Atual - coletor (CI) (máximo) | 67A |
Atual - coletor pulsado (Icm) | 75A |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 25A |
Poder - máximo | 272W |
Energia de comutação | - |
Tipo entrado | Padrão |
Carga da porta | 155nC |
TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 22ns/280ns |
Condição de teste | 800V, 25A, 1 ohm, 15V |
Tempo de recuperação reversa (trr) | - |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Montagem de superfície |
Pacote/caso | TO-268-3, ³ Pak de D (2 ligações + abas), TO-268AA |
Pacote do dispositivo do fornecedor | D3Pak |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de APT25GN120SG
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable