Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB10N60R2DT4G IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
NGTB10N60R2DT4G
Fabricante:
No semicondutor
Descrição:
IGBT 10A 600V DPAK
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações de NGTB10N60R2DT4G
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | - |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 600V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 20A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 40A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 10A |
| Poder - máximo | 72W |
| Energia de comutação | 412µJ (sobre), 140µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 53nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 48ns/120ns |
| Condição de teste | 300V, 10A, 30 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 90ns |
| Temperatura de funcionamento | 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | DPAK |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de NGTB10N60R2DT4G
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable