Transistor IGBTs do módulo de poder de STGD4M65DF2 IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
STGD4M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
PORTA FIELD-STOP IGBT DA TRINCHEIRA, M S
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Série:
M
Introdução
Especificações STGD4M65DF2
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | Parada de campo da trincheira |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 650V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 8A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 16A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 4A |
| Poder - máximo | 68W |
| Energia de comutação | 40µJ (sobre), 136µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 15.2nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 12ns/86ns |
| Condição de teste | 400V, 4A, 47 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 133ns |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | DPAK |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento STGD4M65DF2
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable