Transistor IGBTs do módulo de poder de NGTB03N60R2DT4G IGBT único
Categoria:
Módulo de potência IGBT
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
NGTB03N60R2DT4G
Fabricante:
No semicondutor
Descrição:
IGBT 9A 600V DPAK
Categoria:
Transistor - IGBTs - únicos
Família:
Transistor - IGBTs - únicos
Introdução
Especificações de NGTB03N60R2DT4G
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | - |
| Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) | 600V |
| Atual - coletor (CI) (máximo) | 9A |
| Atual - coletor pulsado (Icm) | 12A |
| Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 3A |
| Poder - máximo | 49W |
| Energia de comutação | 50µJ (sobre), 27µJ (fora) |
| Tipo entrado | Padrão |
| Carga da porta | 17nC |
| TD (de ligar/desligar) @ 25°C | 27ns/59ns |
| Condição de teste | 300V, 3A, 30 ohms, 15V |
| Tempo de recuperação reversa (trr) | 65ns |
| Temperatura de funcionamento | 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote/caso | TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63 |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | DPAK |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de NGTB03N60R2DT4G
Detecção
Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable