PSMN5R6-100BS, 118 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo únicos
Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
negociável
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
PSMN5R6-100BS, 118
Fabricante:
Nexperia EUA Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Introdução
PSMN5R6-100BS, 118 especificações
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo do FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene à tensão da fonte (Vdss) | 100V |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 1mA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 141nC @ 10V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 8061pF @ 50V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Característica do FET | - |
| Dissipação de poder (máxima) | 306W (Tc) |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 5,6 mOhm @ 25A, 10V |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | D2PAK |
| Pacote/caso | TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
PSMN5R6-100BS, 118 que empacotam
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable