Enviar mensagem
Para casa > produtos > Transistor de efeito de campo > MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFR110TRLPBF únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFR110TRLPBF únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Número da peça:
IRFR110TRLPBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Introdução

Especificações de IRFR110TRLPBF

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 100V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 4.3A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 180pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 25W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 540 mOhm @ 2.6A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor D-Pak
Pacote/caso TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRFR110TRLPBF

Detecção

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFR110TRLPBF únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFR110TRLPBF únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFR110TRLPBF únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRFR110TRLPBF únicos

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable