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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STI35N65M5 únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
Número da peça:
STI35N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
MDmesh™ V
Introdução

Especificações STI35N65M5

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 650V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 27A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 83nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 3750pF @ 100V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 160W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 98 mOhm @ 13.5A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor I2PAK
Pacote/caso TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STI35N65M5

Detecção

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