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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STFI26NM60N únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP
Número da peça:
STFI26NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
MDmesh™ II
Introdução

Especificações de STFI26NM60N

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 20A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1800pF @ 50V
Vgs (máximo) ±25V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 35W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor I2PAKFP (TO-281)
Pacote/caso Bloco TO-262-3 completo, mim ² Pak
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STFI26NM60N

Detecção

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