Enviar mensagem
Para casa > produtos > Transistor de efeito de campo > MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STI42N65M5 únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STI42N65M5 únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
STI42N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
MDmesh™ V
Introdução

Especificações STI42N65M5

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 650V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 33A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 4650pF @ 100V
Vgs (máximo) ±25V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 190W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 79 mOhm @ 16.5A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor I2PAK
Pacote/caso TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STI42N65M5

Detecção

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STI42N65M5 únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STI42N65M5 únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STI42N65M5 únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STI42N65M5 únicos

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable