MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STW25N80K5 únicos
Especificações
Número da peça:
STW25N80K5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
SuperMESH5™
Introdução
Especificações STW25N80K5
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 800V |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 19.5A (Tc) |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 100µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 1600pF @ 100V |
Vgs (máximo) | ±30V |
Característica do FET | - |
Dissipação de poder (máxima) | 250W (Tc) |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 260 mOhm @ 19.5A, 10V |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-247 |
Pacote/caso | TO-247-3 |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento STW25N80K5
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable