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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STW56NM60N únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
STW56NM60N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N CH 600V 45A TO-247
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
MDmesh™ II
Introdução

Especificações de STW56NM60N

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 45A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 150nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 4800pF @ 50V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 300W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 60 mOhm @ 22.5A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247
Pacote/caso TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STW56NM60N

Detecção

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