MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF24NM65N únicos
Especificações
Número da peça:
STF24NM65N
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
MDmesh™ II
Introdução
Especificações de STF24NM65N
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 19A (Tc) |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Vgs (máximo) | ±25V |
Característica do FET | - |
Dissipação de poder (máxima) | 40W (Tc) |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-220FP |
Pacote/caso | Bloco TO-220-3 completo |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento de STF24NM65N
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable