MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STFI6N65K3 únicos
Especificações
Número da peça:
STFI6N65K3
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
SuperMESH3™
Introdução
Especificações STFI6N65K3
Estado da parte | Ativo |
---|---|
Tipo do FET | N-canal |
Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 4.5V @ 50µA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 880pF @ 50V |
Vgs (máximo) | ±30V |
Característica do FET | - |
Dissipação de poder (máxima) | 30W (Tc) |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 1,3 ohms @ 2.7A, 10V |
Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
Montando o tipo | Através do furo |
Pacote do dispositivo do fornecedor | I2PAKFP (TO-281) |
Pacote/caso | Bloco TO-262-3 completo, mim ² Pak |
Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
Circunstância | Fábrica original nova. |
Empacotamento STFI6N65K3
Detecção
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Resíduos:
MOQ:
Negotiable