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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STW20NM60FD únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Número da peça:
STW20NM60FD
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Série:
FDmesh™
Introdução

Especificações de STW20NM60FD

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 20A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 37nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1300pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 214W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamento -65°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247-3
Pacote/caso TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STW20NM60FD

Detecção

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