Enviar mensagem
Para casa > produtos > Transistor de efeito de campo > MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3018SFG-13 únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3018SFG-13 únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
Número da peça:
DMN3018SFG-13
Fabricante:
Diodos incorporados
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Introdução

Especificações DMN3018SFG-13

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 8.5A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 13.2nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 697pF @ 15V
Vgs (máximo) ±25V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 1W (Ta)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 21 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8
Pacote/caso 8-PowerWDFN
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento DMN3018SFG-13

Detecção

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3018SFG-13 únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3018SFG-13 únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3018SFG-13 únicosMOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3018SFG-13 únicos

Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ:
Negotiable