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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de DMG4468LFG únicos

Categoria:
Transistor de efeito de campo
Preço:
Negotiable
Método do pagamento:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificações
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Número da peça:
DMG4468LFG
Fabricante:
Diodos incorporados
Categoria:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família:
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Introdução

Especificações de DMG4468LFG

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 7.62A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 18.85nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 867pF @ 10V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 990mW (Ta)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 15 mOhm @ 11.6A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor U-DFN3030-8
Pacote/caso 8-PowerUDFN
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de DMG4468LFG

Detecção

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