Mosfet do canal dos tiristores 0.9A 20V N dos diodos do transistor de efeito de campo AO7800
Transistor de efeito de campo AO7800
,Transistor de efeito de campo 0.9A
,Mosfet do canal de 20V N
MOSFETs N-CH 20V 0.9A dos transistor do FET dos tiristores dos diodos do transistor de efeito de campo AO7800
- O AO7800 usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operação com as tensões da porta tão baixas como 1.8V, na pegada SOT363 pequena. Pode ser usado para uma grande variedade de aplicações, incluindo o interruptor da carga, baixos inversores atuais e a baixa C.C. atual? Conversores da C.C. É ESD protegido
UE RoHS | Complacente |
ECCN (E.U.) | EAR99 |
Estado da parte | Ativo |
HTS | 8541.21.00.95 |
Automotivo | Desconhecido |
PPAP | Desconhecido |
Categoria de produto | MOSFET do poder |
Configuração | Duplo |
Modo do canal | Realce |
Tipo de canal | N |
Número de elementos pela microplaqueta | 2 |
Tensão máxima da fonte do dreno (v) | 20 |
Tensão de fonte de porta máxima (v) | ±8 |
Dreno contínuo máximo (a) atual | 0,9 |
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm) | 300@4.5V |
Carga típica @ Vgs da porta (nC) | 1.57@4.5V |
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) | 101@10V |
Dissipação de poder máxima (mW) | 300 |
Tempo de queda típico (ns) | 2,4 |
Tempo de elevação típico (ns) | 4 |
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) | 15,5 |
Tempo de atraso de ligação típico (ns) | 3,2 |
Temperatura de funcionamento mínima (°C) | -55 |
Temperatura de funcionamento máximo (°C) | 150 |
Empacotamento | Fita e carretel |
Montagem | Montagem de superfície |
Altura do pacote | 0,9 |
Largura do pacote | 1,3 |
Comprimento do pacote | 2,1 |
O PWB mudou | 6 |
Nome do pacote padrão | ÉBRIO |
Pacote do fornecedor | SC-70 |
Pin Count | 6 |
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