Mosfet do canal do FET SOT23 N do transistor de efeito de campo AO3160
Transistor de efeito de campo AO3160
,FET do transistor de efeito de campo
,Mosfet do canal de SOT23 N
MOSFETs N-CH 20V 6.5A SOT23 dos transistor do FET dos tiristores dos diodos do transistor de efeito de campo AO3416
- O AO3160 é fabricado usando um processo de alta tensão avançado do MOSFET que seja projetado entregar níveis elevados de desempenho e de vigor em aplicações populares de AC-DC. Fornecendo o baixo RDS (sobre), o Ciss e Crss junto com a capacidade garantida da avalancha este dispositivo podem ser adotados rapidamente em projetos autônomos novos e existentes da fonte de alimentação.
Número da peça interna | AO3160 | |
Estado sem chumbo/estado de RoHS | Sem chumbo/RoHS complacente | |
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 1 (ilimitado) | |
Estado da produção (ciclo de vida) | Na produção | |
Circunstância | Novo & não utilizado, original selado | |
Outros documentos relacionados | Política do verde do AOS | |
Pacote padrão | 6.000 | |
Categoria | Produtos de semicondutor discretos | |
Família | FETs - únicos | |
Série | - | |
Empacotamento | Fita & carretel (TR) | |
Tipo do FET | N-canal do MOSFET, óxido de metal | |
Característica do FET | Padrão | |
Drene à tensão da fonte (Vdss) | 600V | |
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 40mA (Ta) | |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 500 ohms @ 16mA, 10V | |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 3.2V @ 8µA | |
Carga da porta (Qg) @ Vgs | 1.5nC @ 10V | |
Capacidade entrada (Ciss) @ Vds | 15pF @ 25V | |
Poder - máximo | 1.39W | |
Montando o tipo | Montagem de superfície | |
Pacote/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Pacote do dispositivo do fornecedor | SOT-23-3 | |
Peso | 0,001 QUILOGRAMAS | |
Aplicação | E-mail para detalhes | |
Parte alternativa (substituição) | AO3160 | |
Relações relacionadas | Distribuidor de AO3, AO3160 Folha de dados, Alfa & Ômega Semicondutor Inc. |
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