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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100A13SG

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100A13SG
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100A13SG
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100A13SG
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (119 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100A13SG

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100A13SG

descrição

Número da peça:	APTM100A13SG	Fabricante:	Microsemi Corporaçõ
Descrição:	MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de APTM100A13SG

Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal 2 (meia ponte)
Característica do FET	Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss)	1000V (1kV)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	65A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	156 mOhm @ 32.5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 6mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	562nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	15200pF @ 25V
Poder - máximo	1250W
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem do chassi
Pacote/caso	SP6
Pacote do dispositivo do fornecedor	SP6
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de APTM100A13SG

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100A13SG 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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