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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100H45SCTG

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100H45SCTG
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100H45SCTG
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100H45SCTG
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (144 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100H45SCTG

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100H45SCTG

descrição

Número da peça:	APTM100H45SCTG	Fabricante:	Microsemi Corporaçõ
Descrição:	MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições	Série:	MOS 7® DO PODER

Especificações de APTM100H45SCTG

Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal 4 (H-ponte)
Característica do FET	Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss)	1000V (1kV)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	18A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	540 mOhm @ 9A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 2.5mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	154nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	4350pF @ 25V
Poder - máximo	357W
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem do chassi
Pacote/caso	SP4
Pacote do dispositivo do fornecedor	SP4
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de APTM100H45SCTG

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de APTM100H45SCTG 0

etiqueta:

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Telefone: +8615017926135

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