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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SLA5061

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SLA5061

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Imagem Grande :  Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SLA5061

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SLA5061

descrição
Número da peça: SLA5061 Fabricante: Sanken
Descrição: MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações SLA5061

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal 3 N e 3 (ponte da 3-fase)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 10A, 6A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 140 mOhm @ 5A, 4V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ -
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 460pF @ 10V
Poder - máximo 5W
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote/caso 12-SIP
Pacote do dispositivo do fornecedor 12-SIP
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SLA5061

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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