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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7910PBF

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7910PBF
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7910PBF
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7910PBF
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (146 reviews)

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7910PBF

descrição

Número da peça:	IRF7910PBF	Fabricante:	Infineon Technologies
Descrição:	MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições	Série:	HEXFET®

Especificações de IRF7910PBF

Estado da parte	Interrompido na Digi-chave
Tipo do FET	N-canal 2 (duplo)
Característica do FET	Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)	12V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	10A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	15 mOhm @ 8A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	1730pF @ 6V
Poder - máximo	2W
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor	8-SO
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de IRF7910PBF

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF7910PBF 0

etiqueta:

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Telefone: +8615017926135

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