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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSD223P

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSD223P

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSD223P
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSD223P

descrição
Número da peça: BSD223P Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições Série: OptiMOS™

Especificações de BSD223P

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET P-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 390mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 1,2 ohms @ 390mA, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 1.5µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 56pF @ 15V
Poder - máximo 250mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote do dispositivo do fornecedor PG-SOT363-6
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de BSD223P

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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