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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSO615N

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSO615N

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSO615N
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Imagem Grande :  Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSO615N

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BSO615N

descrição
Número da peça: BSO615N Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições Série: SIPMOS®

Especificações de BSO615N

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 2.6A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 20µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 380pF @ 25V
Poder - máximo 2W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor PG-DSO-8
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de BSO615N

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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