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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF5852

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF5852

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF5852
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Imagem Grande :  Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF5852

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IRF5852

descrição
Número da peça: IRF5852 Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições Série: HEXFET®

Especificações IRF5852

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 2.7A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1.25V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 400pF @ 15V
Poder - máximo 960mW
Temperatura de funcionamento -
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Pacote do dispositivo do fornecedor 6-TSOP
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IRF5852

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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