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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF8513PBF

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF8513PBF

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de IRF8513PBF

descrição
Número da peça: IRF8513PBF Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de IRF8513PBF

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N-canal 2 (duplo)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 8A, 11A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs mOhm 15,5 @ 8A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.35V @ 25µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 766pF @ 15V
Poder - máximo 1.5W, 2.4W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-SO
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de IRF8513PBF

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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